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NE5534DR
器件3D模型
0.424
NE5534DR 数据手册 (27 页)
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NE5534DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
30.0 V
封装
SOIC-8
供电电流
4 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
0.00 V/K
带宽
10 MHz
转换速率
13.0 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
500 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
10 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压
10V ~ 30V

NE5534DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

NE5534DR 数据手册

TI(德州仪器)
27 页 / 1.18 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 1.62 MByte
TI(德州仪器)
12 页 / 0.28 MByte

NE5534 数据手册

TI(德州仪器)
Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  NE5534AP  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 9 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  NE5534DR  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  NE5534ADR  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  NE5534AD  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments
ON Semiconductor(安森美)
NE5534、SA5534、低噪声运算放大器,ON Semiconductor小信号带宽:10 MHz 输入噪声电压:4 nV/√Hz 直流电压增益:100000 适用于音频应用 ### 运算放大器,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
NE5534、SA5534、低噪声运算放大器,ON Semiconductor小信号带宽:10 MHz 输入噪声电压:4 nV/√Hz 直流电压增益:100000 适用于音频应用 ### 运算放大器,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NE5534DG  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NE5534ADG  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚
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