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NE5534DR2G
器件3D模型
0.266
NE5534DR2G 数据手册 (10 页)
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NE5534DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
供电电流
4 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
功耗
0.75 W
共模抑制比
70 dB
转换速率
13.0 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
500 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
10 MHz
耗散功率(Max)
750 mW
共模抑制比(Min)
70 dB

NE5534DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

NE5534DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.79 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.24 MByte

NE5534DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单一的低噪声运算放大器 Single Low Noise Operational Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
NE5534、SA5534、低噪声运算放大器,ON Semiconductor小信号带宽:10 MHz 输入噪声电压:4 nV/√Hz 直流电压增益:100000 适用于音频应用 ### 运算放大器,ON Semiconductor
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