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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > NGTB15N120FL2WG Datasheet 文档
NGTB15N120FL2WG
2.016
NGTB15N120FL2WG 数据手册 (10 页)
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NGTB15N120FL2WG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
294 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
110 ns
额定功率(Max)
294 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
294000 mW

NGTB15N120FL2WG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NGTB15N120FL2WG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 1.89 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.16 MByte

NGTB15N120FL2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
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