NGTB20N120IHWG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N120IHRWG  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N120IHLWG  单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

ON SEMICONDUCTOR  NGTB20N120LWG  单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。