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NGTB30N135IHRWG
2.7
NGTB30N135IHRWG 数据手册 (10 页)
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NGTB30N135IHRWG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
功耗
394 W
击穿电压(集电极-发射极)
1350 V
额定功率(Max)
394 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
394 W

NGTB30N135IHRWG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.25 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

NGTB30N135IHRWG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.23 MByte

NGTB30N135 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NGTB30N135IHRWG  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚
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