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NID6002NT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

65V,6.5A,带过温和过流保护,N沟道FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NID6002NT4G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

NID6002NT4G 数据手册 (6 页)

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NID6002NT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

65.0 V

额定电流

6.50 A

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.21 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.85 V

漏源极电压(Vds)

65 V

漏源击穿电压

70.0 V

栅源击穿电压

±14.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

250 ns

输出电流(Max)

6.5 A

下降时间

660 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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NID6002NT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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NID6002NT4G 符合标准

NID6002NT4G 海关信息

NID6002NT4G 概述

NID6002NT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.06 MByte

NID6002NT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.06 MByte

NID6002NT4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.2 MByte

NID6002NT4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

自我保护FET的温度和电流限制 Self−Protected FET with Temperature and Current Limit

NID6002NT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

65V,6.5A,带过温和过流保护,N沟道FET

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