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NIS5112D2R2G
器件3D模型
0.896
NIS5112D2R2G 数据手册 (9 页)
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NIS5112D2R2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
2 A
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
9 V
输入电压
9V ~ 18V

NIS5112D2R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃

NIS5112D2R2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.49 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.27 MByte

NIS5112D2R2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NIS 系列 12 V 92 uA 表面贴装 电子保险丝 - SOIC-8
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