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NJD35N04
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NJD35N04 数据手册 (2 页)
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NJD35N04 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DPAK-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
2000

NJD35N04 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
2500

NJD35N04 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.11 MByte

NJD35 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NJD35N04G.  双极性晶体管, NPN, 350V
ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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