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NJVMJD44H11T4
0.23
NJVMJD44H11T4 数据手册 (8 页)
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NJVMJD44H11T4 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DPAK-4
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A

NJVMJD44H11T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

NJVMJD44H11T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

NJVMJD44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
MJD44H11: 8 A,80 V,NPN 双极功率晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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