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NJVMJD44H11T4G
0.36
NJVMJD44H11T4G 数据手册 (9 页)
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NJVMJD44H11T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
85 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
60
最大电流放大倍数
60 @2A, 1V
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

NJVMJD44H11T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

NJVMJD44H11T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.57 MByte

NJVMJD44H11T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE
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