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NJVNJD2873T4G
0.268
NJVNJD2873T4G 数据手册 (6 页)
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NJVNJD2873T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
65 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
40
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1680 mW

NJVNJD2873T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

NJVNJD2873T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
55 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.15 MByte

NJVNJD2873T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NJVNJD2873T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 50 V, 65 MHz, 15 W, 2 A, 40 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V
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