￥ 0.268

NJVNJD2873T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252

描述:

ON SEMICONDUCTOR NJVNJD2873T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 50 V, 65 MHz, 15 W, 2 A, 40 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NJVNJD2873T4G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

NJVNJD2873T4G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NJVNJD2873T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

65 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

15 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1680 mW

查看数据手册 >

NJVNJD2873T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

NJVNJD2873T4G 符合标准

NJVNJD2873T4G 海关信息

NJVNJD2873T4G 概述

NJVNJD2873T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.14 MByte

NJVNJD2873T4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

55 页 / 0.56 MByte

NJVNJD2873T4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.15 MByte

NJVNJD2873T4 数据手册

NJVNJD2873T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NJVNJD2873T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 50 V, 65 MHz, 15 W, 2 A, 40 hFE 新

NJVNJD2873T4G-VF01 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号