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NSL12AWT1G
器件3D模型
0.052
NSL12AWT1G 数据手册 (1 页)
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NSL12AWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-12.0 V
额定电流
-3.00 A
封装
SC-70-6
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
极性
PNP
功耗
450 mW
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
100 @800mA, 1.5V
额定功率(Max)
450 mW
直流电流增益(hFE)
180
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
650 mW

NSL12AWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSL12AWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte

NSL12AWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电流表面贴装PNP硅低VCE ( sat)的晶体管用于电池供电的应用 High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NSL12AWT1G  单晶体管 双极, PNP, -12 V, 100 MHz, 450 mW, -3 A, 180 hFE
Panasonic(松下)
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