￥ 0.494

NSS12200LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

12 V ， 4.0 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NSS12200LT1G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

典型应用电路图在1 页

NSS12200LT1G 数据手册 (5 页)

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NSS12200LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

710 mW

输入电容

350 pF

上升时间

120 ns

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

250 @500mA, 2V

额定功率(Max)

460 mW

直流电流增益(hFE)

300

下降时间

130 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

540 mW

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NSS12200LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NSS12200LT1G 符合标准

NSS12200LT1G 海关信息