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NSS1C201MZ4T1G
0.231
NSS1C201MZ4T1G 数据手册 (5 页)
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NSS1C201MZ4T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
2 W
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数
150
额定功率(Max)
800 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

NSS1C201MZ4T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSS1C201MZ4T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte

NSS1C201MZ4T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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