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NSS20200LT1G
0.168
NSS20200LT1G 数据手册 (2 页)
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NSS20200LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
710 mW
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
250 @500mA, 2V
额定功率(Max)
460 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540 mW

NSS20200LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSS20200LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.11 MByte

NSS20200LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NSS20200LT1G  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFE
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