器件3D模型

￥ 0.56

NSS40302PDR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOIC-8

描述:

NSS40302 系列 40 V 3 A NPN/PNP 表面贴装低 VCE(sat) 晶体管 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NSS40302PDR2G 数据手册 (11 页)

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NSS40302PDR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

8 Position

极性

NPN+PNP

功耗

783 mW

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

180 @1A, 2V

最大电流放大倍数

200 @10mA, 2V

额定功率(Max)

653 mW

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

783 mW

NSS40302PDR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSS40302PDR2G 符合标准

NSS40302PDR2G 海关信息

NSS40302PDR2G 概述

NSS40302PDR2G 数据手册

NSS40302PDR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.16 MByte

NSS40302PDR2G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.09 MByte

NSS40302PDR2G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.58 MByte

NSS40302PDR2 数据手册

NSS40302PDR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NSS40302 系列 40 V 3 A NPN/PNP 表面贴装低 VCE(sat) 晶体管 - SOIC-8

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