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NTB25P06T4G
1.222
NTB25P06T4G 数据手册 (6 页)
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NTB25P06T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-25.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
P-Channel
功耗
120 W
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
27.5 A
上升时间
72 ns
输入电容值(Ciss)
1680pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
120 W
下降时间
190 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120 W

NTB25P06T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.29 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTB25P06T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte

NTB25P06T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -27.5 A, P沟道D2PAK Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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