Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTB30N20 Datasheet 文档
NTB30N20
0
NTB30N20 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTB30N20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
68 mΩ
极性
N-Channel
功耗
214 W
输入电容
1.20 nF
栅电荷
46.0 nC
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
27.0 A
输入电容值(Ciss)
2335pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta), 214W (Tc)

NTB30N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.29 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTB30N20 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

NTB30 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
30A,200V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 60伏 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 200伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK
ON Semiconductor(安森美)
30A,60V逻辑电平的功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
30A,200V逻辑电平的功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 60伏特,逻辑电平 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level
ON Semiconductor(安森美)
30A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 30安培, 200伏 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
30 A,60 V 功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z