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NTB5605P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET -60伏， -18.5放大器 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在6 页

NTB5605P 数据手册 (7 页)

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NTB5605P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-18.5 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

120 mΩ

极性

P-Channel

功耗

88 W

阈值电压

2 V

输入电容

1.19 nF

栅电荷

22.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.5 A

上升时间

122 ns

输入电容值(Ciss)

1190pF @25V(Vds)

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

88W (Tc)

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NTB5605P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

800

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NTB5605P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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