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NTB60N06LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

60A,60V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB60N06LT4G 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTB60N06LT4G 数据手册 (8 页)

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NTB60N06LT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

16 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

576 ns

输入电容值(Ciss)

3075pF @25V(Vds)

下降时间

237 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.4 W

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NTB60N06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB60N06LT4G 符合标准

NTB60N06LT4G 海关信息

NTB60N06LT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

NTB60N06LT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.49 MByte

NTB60N06LT4G 产品封装文件

ON Semiconductor（安森美）

16 页 / 0.82 MByte

NTB60N06LT4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET 60安培， 60伏特，逻辑电平N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel TO−220 and D2PAK

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