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NTD20N06-001
0.22
NTD20N06-001 数据手册 (8 页)
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NTD20N06-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-251-3
漏源极电阻
37.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
60.5 ns
输入电容值(Ciss)
1015pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.36 W
下降时间
37.1 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.88 W

NTD20N06-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
高度
6.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD20N06-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte

NTD20 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N03L27T4G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor(安森美)
20A,30V,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
-60V,-15.5A功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏逻辑电平, NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
60V,20A,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
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