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NTD20N06L
0.43
NTD20N06L 数据手册 (12 页)
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NTD20N06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
20.0 A
封装
DPAK-252
漏源极电阻
39.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60 W
阈值电压
2 V
输入电容
1.01 nF
栅电荷
30.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
98 ns
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

NTD20N06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
最小包装数量
2500

NTD20N06L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte

NTD20N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06G  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏逻辑电平, NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
60V,20A,N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 20安培, 60伏特,逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
ON Semiconductor(安森美)
20A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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