￥ 0.609

NTD20N06LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD20N06LT4G 数据手册 (9 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD20N06LT4G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTD20N06LT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-252-3

额定功率

60 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.039 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

7.7pF @25V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A, 20.0 mA

上升时间

98 ns

输入电容值(Ciss)

990pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.36 W

下降时间

62 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.36 W

查看数据手册 >

NTD20N06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTD20N06LT4G 符合标准

NTD20N06LT4G 海关信息

NTD20N06LT4G 概述