￥ 0.767

NTD20N06T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD20N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD20N06T4G 数据手册 (11 页)

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NTD20N06T4G 数据手册 (11 页)

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NTD20N06T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0375 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

2.91 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

60.5 ns

输入电容值(Ciss)

1015pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.88 W

下降时间

37.1 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.88 W

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NTD20N06T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

6.22 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD20N06T4G 符合标准

NTD20N06T4G 海关信息

NTD20N06T4G 概述