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NTD24N06LT4G
0.798
NTD24N06LT4G 数据手册 (9 页)
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NTD24N06LT4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
24.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
N-Channel
功耗
62.5 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
24.0 A, 24.0 mA
上升时间
97 ns
输入电容值(Ciss)
1140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.36 W
下降时间
52 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.36 W

NTD24N06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD24N06LT4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.12 MByte

NTD24N06LT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 24安培, 60伏逻辑电平, N沟道DPAK Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 24A
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