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NTD25P03L1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

-25A,-30V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD25P03L1G 数据手册 (10 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页

典型应用电路图在1 页

NTD25P03L1G 数据手册 (10 页)

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NTD25P03L1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-25.0 A

封装

TO-251-3

额定功率

75 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

51 mΩ

极性

P-Channel

功耗

75 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

75 W

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NTD25P03L1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTD25P03L1G 符合标准

NTD25P03L1G 海关信息

NTD25P03L1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.13 MByte

NTD25P03L1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 0.26 MByte

NTD25P03L1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.1 MByte

NTD25P03L1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.15 MByte

NTD25P03L1 数据手册

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功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

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