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NTD3055-150G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET 9.0 A， 60 V Power MOSFET 9.0 A, 60 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTD3055-150G 数据手册 (4 页)

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NTD3055-150G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

122 mΩ

极性

N-Channel

功耗

28.8 W

输入电容

280 pF

栅电荷

15.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

37.1 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @25V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

NTD3055-150G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD3055-150G 符合标准

NTD3055-150G 海关信息

NTD3055-150G 数据手册

NTD3055-150G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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