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NTD3055L104-001
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NTD3055L104-001 数据手册 (8 页)
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NTD3055L104-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
IPAK
漏源极电阻
104 mΩ
极性
N-Channel
功耗
48.0 W
漏源极电压(Vds)
60.0 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
104 ns

NTD3055L104-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk

NTD3055L104-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte

NTD3055 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104-1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094-1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 104 mohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
60V,9.0A功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
9.0A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
9A,60V,N沟道MOSFET
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