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NTD4302-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTD4302-001 数据手册 (10 页)

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NTD4302-001 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

68.0 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

7.80 mΩ

极性

N-Channel

功耗

75 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

68.0 A

上升时间

15.0 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

NTD4302-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

NTD4302-001 符合标准

NTD4302-001 数据手册

NTD4302-001 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.08 MByte

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