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NTD 4302 T4
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NTD 4302 T4 数据手册 (7 页)
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NTD 4302 T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
68.0 A
封装
TO-252
漏源极电阻
7.80 mΩ
极性
N-Channel
功耗
75.0 W
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
68.0 A
上升时间
15.0 ns

NTD 4302 T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

NTD 4302 T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte

NTD4302 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
68A,30V逻辑电平的功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 68 A, 30 V ,NA ????频道DPAK Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 68 A, 30 V ,NA ????频道DPAK Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)
ON Semiconductor(安森美)
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