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NTD4302T4G
0.002
NTD4302T4G 数据手册 (7 页)
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NTD4302T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
68.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0078 Ω
极性
N-Channel
功耗
75 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
18.5 A
上升时间
15.0 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @24V(Vds)
额定功率(Max)
1.04 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.04W (Ta), 75W (Tc)

NTD4302T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTD4302T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.03 MByte

NTD4302T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新
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