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NTD60N02R-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

60A,24V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD60N02R-1G 数据手册 (8 页)

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NTD60N02R-1G 数据手册 (8 页)

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NTD60N02R-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

62.0 A

封装

TO-251-3

漏源极电阻

8.40 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.87 W

输入电容

1.33 nF

栅电荷

14.0 nC

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

62.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1330pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta), 58W (Tc)

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NTD60N02R-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD60N02R-1G 符合标准

NTD60N02R-1G 海关信息

NTD60N02R-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

NTD60N02R-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.27 MByte

NTD60N02R-1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.11 MByte

NTD60N02R-1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

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