器件3D模型

￥ 0.092

NTE4151PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-89-3

描述:

P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTE4151PT1G 数据手册 (6 页)

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NTE4151PT1G 数据手册 (6 页)

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NTE4151PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-760 mA

封装

SC-89-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.26 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

313 mW

输入电容

156 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

760 mA

上升时间

8.2 ns

输入电容值(Ciss)

156pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

313 mW

下降时间

20.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313 mW

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NTE4151PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

0.95 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTE4151PT1G 符合标准

NTE4151PT1G 海关信息

NTE4151PT1G 概述