●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.145Ω @-750mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -2.0--4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.8W Description & Applications| Features • TMOS7 Design for low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes 描述与应用| •TMOS7设计低RDS（on） •可承受高能量雪崩和减刑模式
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功率MOSFET Power MOSFET
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ON SEMICONDUCTOR NTF2955T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 V
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功率MOSFET Power MOSFET
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-2.6A,-60V,P沟道MOSFET
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