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NTF6P02T3G
0.617
NTF6P02T3G 数据手册 (6 页)
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NTF6P02T3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-6.00 A
封装
TO-261-4
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
P-Channel
功耗
8.3 W
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
25.0 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
8.3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
8.3W (Ta)

NTF6P02T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTF6P02T3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte

NTF6P02T3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2.3A,-20V功率MOSFET和肖特基二极管
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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