￥ 0.222

NTGD4167CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTGD4167CT1G Dual MOSFET, N and P Channel, 2.6 A, 30 V, 52 mohm, 4.5 V, 900 mV 新

Pictures:

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焊盘图

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NTGD4167CT1G 数据手册 (10 页)

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NTGD4167CT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.052 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

900 mW

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

输入电容值(Ciss)

295pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1 W

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NTGD4167CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGD4167CT1G 符合标准

NTGD4167CT1G 海关信息

NTGD4167CT1G 概述