￥ 0.611

NTHC5513T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTHC5513T1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.9 A, 20 V, 0.058 ohm, 4.5 V, 600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTHC5513T1G 数据手册 (10 页)

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NTHC5513T1G 数据手册 (10 页)

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NTHC5513T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

3.10 A

封装(公制)

3216

封装

1206

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.058 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

上升时间

13.0 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1 W

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NTHC5513T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTHC5513T1G 符合标准

NTHC5513T1G 海关信息

NTHC5513T1G 概述