NTHD4102PT1G

￥ 3.366

NTHD4102PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

ChipFET-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTHD4102PT1G Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.9 A, -20 V, 64 mohm, -4.5 V, -1.5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTHD4102PT1G 数据手册 (5 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

NTHD4102PT1G 数据手册 (5 页)

3

4

5 型号编码规则

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NTHD4102PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-7.30 A

封装

ChipFET-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.064 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

750pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1 W

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NTHD4102PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.65 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTHD4102PT1G 符合标准

NTHD4102PT1G 海关信息

NTHD4102PT1G 概述

NTHD4102PT1G 数据手册

NTHD4102PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

NTHD4102PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

204 页 / 1.12 MByte

NTHD4102PT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

NTHD4102PT1 数据手册

NTHD4102PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -20 V， -4.1 A，双P沟道ChipFET Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET

NTHD4102PT1G 数据手册

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ON SEMICONDUCTOR NTHD4102PT1G Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.9 A, -20 V, 64 mohm, -4.5 V, -1.5 V 新

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