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NTHD4P02FT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

-20V,-3.0A,功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTHD4P02FT1G 数据手册 (7 页)

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NTHD4P02FT1G 数据手册 (7 页)

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NTHD4P02FT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-3.00 A

封装

SMD-8

漏源极电阻

200 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.1 W

输入电容

300 pF

栅电荷

6.00 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A, -2.20 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

300pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1 W

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NTHD4P02FT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTHD4P02FT1G 符合标准

NTHD4P02FT1G 海关信息

NTHD4P02FT1G 概述

NTHD4P02FT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

NTHD4P02FT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

NTHD4P02FT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.05 MByte

NTHD4P02FT1 数据手册

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功率MOSFET和肖特基二极管 Power MOSFET and Schottky Diode

NTHD4P02FT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

-20V,-3.0A,功率MOSFET

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