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NTJD4001N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOT-363-6

描述:

小信号MOSFET Small Signal MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTJD4001N 数据手册 (6 页)

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NTJD4001N 数据手册 (6 页)

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NTJD4001N 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-363-6

漏源极电阻

1500 mΩ

极性

Dual N

功耗

0.272 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

0.25A

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NTJD4001N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

最小包装数量

3000

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NTJD4001N 符合标准

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