器件3D模型

￥ 0.052

NTJD4001NT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

小信号MOSFET Small Signal MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTJD4001NT1 数据手册 (5 页)

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封装尺寸在5 页

NTJD4001NT1 数据手册 (5 页)

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NTJD4001NT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

250 mA

封装

SC-70-6

漏源极电阻

1.50 Ω

极性

N-Channel

功耗

272 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

33pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

272 mW

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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NTJD4001NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD4001NT1 符合标准

NTJD4001NT1 概述

NTJD4001NT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTJD4001NT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

NTJD4001NT1 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.04 MByte

NTJD4001 数据手册

NTJD4001NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTJD4001NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V

NTJD4001NT2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

0.25A,30V,双N沟道MOSFET

NTJD4001NT1 数据手册

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小信号MOSFET Small Signal MOSFET

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