器件3D模型

￥ 0.109

NTJD4105CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

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NTJD4105CT1G 数据手册 (8 页)

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NTJD4105CT1G 数据手册 (8 页)

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NTJD4105CT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

630 mA

封装

SC-70-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.29 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

270 mW

阈值电压

920 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

775 mA

输入电容值(Ciss)

46pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

270 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

550 mW

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NTJD4105CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD4105CT1G 符合标准

NTJD4105CT1G 海关信息

NTJD4105CT1G 概述