器件3D模型

￥ 0.113

NTJD4158CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTJD4158CT1G Dual MOSFET, N and P Complement, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTJD4158CT1G 数据手册 (2 页)

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NTJD4158CT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

250 mA

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

270 mW

阈值电压

1.2 V

输入电容

33.0 pF

栅电荷

1.50 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA, 880 mA

输入电容值(Ciss)

33pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

270 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

270 mW

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NTJD4158CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD4158CT1G 符合标准

NTJD4158CT1G 海关信息

NTJD4158CT1G 概述