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NTJD4401NT1
器件3D模型
0.07
NTJD4401NT1 数据手册 (5 页)
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NTJD4401NT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
630 mA
封装
SC-88-6
漏源极电阻
510 mΩ
极性
N-Channel
功耗
270 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
630 mA
上升时间
227 ns
输入电容值(Ciss)
46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
270 mW
下降时间
227 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

NTJD4401NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJD4401NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

NTJD4401 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
ON Semiconductor(安森美)
小信号20V,双N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NTJD4401NT1 复合场效应管 20V 630mA/0.63A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 TDX ESD保护 负载开关
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
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