器件3D模型

￥ 0.078

NTJS3151PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

12V,-3.3A,功率MOSFET

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

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NTJS3151PT1G 数据手册 (5 页)

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NTJS3151PT1G 数据手册 (5 页)

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NTJS3151PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-12.0 V

额定电流

-3.30 A

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.133 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.625 W

输入电容

850 pF

漏源极电压(Vds)

12 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.30 A

上升时间

1.5 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

下降时间

3.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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NTJS3151PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJS3151PT1G 符合标准

NTJS3151PT1G 海关信息

NTJS3151PT1G 概述

NTJS3151PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTJS3151PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.19 MByte

NTJS3151PT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

NTJS3151PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

沟槽功率MOSFET的12 V ， 3.3 A单P沟道， ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88

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12V,-3.3A,功率MOSFET

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