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NTJS4151PT1G
器件3D模型
0.077
NTJS4151PT1G 数据手册 (2 页)
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NTJS4151PT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-3.30 A
封装
SC-88-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.047 Ω
极性
P-Channel
功耗
1 W
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.20 A
上升时间
1.7 ns
输入电容值(Ciss)
850pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
4.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

NTJS4151PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJS4151PT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte

NTJS4151PT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET -20 V, -4.2 A,单P沟道, SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJS4151PT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88
Diodes(美台)
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