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NTK3134NT1G
0.071
NTK3134NT1G 数据手册 (6 页)
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NTK3134NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-723-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
450 mW
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
890 mA
上升时间
4.8 ns
输入电容值(Ciss)
120pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
310 mW
下降时间
7.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310mW (Ta)

NTK3134NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.25 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTK3134NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.99 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte

NTK3134NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTK3134NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 890 mA, 20 V, 0.2 ohm, 4.5 V, 1.2 V
ON Semiconductor(安森美)
20V,0.89A,350mΩ,小信号N沟道MOSFET
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