器件3D模型

￥ 0.01

NTLJD3119CTAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

20V,4.6/-4.1A功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTLJD3119CTAG 数据手册 (10 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在10 页

NTLJD3119CTAG 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTLJD3119CTAG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2.3 W

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

4.60 A, 3.80 A

输入电容值(Ciss)

271pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

710 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

查看数据手册 >

NTLJD3119CTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTLJD3119CTAG 符合标准

NTLJD3119CTAG 海关信息

NTLJD3119CTAG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.16 MByte

NTLJD3119CTAG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.22 MByte

NTLJD3119 数据手册

NTLJD3119CTBG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTBG 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV

NTLJD3119CTAG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

20V,4.6/-4.1A功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号