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Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTMD4184PFR2G Datasheet 文档
NTMD4184PFR2G
器件3D模型
0.285
NTMD4184PFR2G 数据手册 (7 页)
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NTMD4184PFR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
输入电容
280 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
-3.30 A, 2.30 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
360pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
770 mW
下降时间
2.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
770mW (Ta)

NTMD4184PFR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTMD4184PFR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.04 MByte

NTMD4184PFR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2.3A,30V,,P沟道MOSFET及20V,2.2A肖特基二极管
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