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NTMD4N03R2G
器件3D模型
0.307
NTMD4N03R2G 数据手册 (8 页)
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NTMD4N03R2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
4.00 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.048 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A, 4.00 mA
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

NTMD4N03R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTMD4N03R2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.58 MByte

NTMD4N03R2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 4安培, 30伏特N通道SO- 8双 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual
ON Semiconductor(安森美)
N 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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